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1.材料革命：超越硅基的下一代半导体
*氧化镓（GaO）功率器件的突破：击穿场强是 Si 的 10 倍，适配 800V 新能源汽车快充，某公司量产的 650V GaO MOSFET 导通电阻较传统 SiC 器件降低 30%。
*二维材料石墨烯电阻的应用：某研究院研发的石墨烯薄膜电阻在 10GHz 下寄生电感 < 0.5nH，为 5G 基站射频电路带来低损耗解决方案。
2.封装工艺：Chiplet 如何重构芯片设计逻辑
*案例：某国产 AI 芯片通过 3D 混合键合技术（Hybrid Bonding），将 CPU、GPU、存储单元异质集成，算力密度提升 2.5 倍，成本降低 40%。
*技术对比：倒装焊（Flip Chip）与 TSV（硅通孔）的量产良率差异，某封装厂 TSV 良率已达 99.5%，支撑 HBM3 内存的大规模应用。
3.能效革新：从 “瓦特” 到 “毫瓦” 的绿色电子路径
*低功耗 MCU 的突破：某公司基于 RISC - V 架构的 32 位 MCU，在休眠模式下功耗仅 1.2μA，适用于物联网传感器节点，续航延长至 5 年以上。
*热管理技术：VC 均热板与 AI 热仿真的结合，某游戏本通过 AI 动态调节风扇转速与芯片电压，使 CPU 温度波动控制在 ±2℃内。
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