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电容的 “反常识” 特性
1.电容充电的 “玄学” 速度
理想电容充电时，电压上升速度并非线性：初始瞬间电流最大（相当于短路），随电压接近电源值逐渐变慢。实际应用中，若电源内阻或串联电阻过小，可能导致浪涌电流损坏器件（如电解电容爆炸风险）。
案例：用 1μF 电容直接接 5V 电源，理论充电时间常数 τ=RC，但若 R 趋近于 0，电流峰值可达数十安培（取决于电源内阻）。
2.陶瓷电容的 “电压依赖性”
多层陶瓷电容（MLCC）的容量会随施加电压升高而下降：例如 10μF/10V 的 MLCC，在 5V 偏压下容量可能只剩 60%~70%（因陶瓷介质的压电效应导致晶格畸变）。
应用场景：电源滤波电容需预留足够耐压，避免因容量衰减导致滤波效果劣化。
3.电容的 “记忆效应”
电解电容长期存放后，漏电流会增大，首次通电时需 “激活”（用低电压缓慢充电），否则可能因瞬间大电流发热损坏。
反常识点：钽电容的 “击穿” 是可逆的 —— 若瞬时过压未导致物理烧毁，移除电压后可能恢复正常（但可靠性大幅下降）。
4.电容的 “温度魔法”
NPO（COG）陶瓷电容温度系数仅 ±30ppm/℃，适合高频振荡电路；而 X7R 电容在 - 55℃~125℃范围内容量波动 ±15%，Y5V 则可能波动 ±80%（如 10μF 电容在高温下只剩 2μF）。
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